Microsemi Corporation - APT34N80B2C3G

KEY Part #: K6396990

APT34N80B2C3G Prezos (USD) [8189unidades de stock]

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Número de peza:
APT34N80B2C3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34N80B2C3G Atributos do produto

Número de peza : APT34N80B2C3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 34A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 355nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4510pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 417W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : T-MAX™ [B2]
Paquete / Estuche : TO-247-3 Variant

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