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- Número de peza:
- IRL6283MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL6283MTRPBF electronic components. IRL6283MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL6283MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL6283MTRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRL6283MTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
38A (Ta), 211A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.75 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
158nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8292pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ MD
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric MD
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