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- Número de peza:
- IRFB7437GPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 40V 195A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB7437GPBF electronic components. IRFB7437GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB7437GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB7437GPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFB7437GPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
195A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
225nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7330pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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