Texas Instruments - CSD17579Q3AT

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Número de peza:
CSD17579Q3AT
Fabricante:
Texas Instruments
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17579Q3AT Atributos do produto

Número de peza : CSD17579Q3AT
Fabricante : Texas Instruments
Descrición : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Serie : NexFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 998pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-VSONP (3x3.15)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

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