NDD60N360U1-1G Prezos (USD) [2563unidades de stock]
- 525 pcs$0.53474
- Número de peza:
- NDD60N360U1-1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 114A IPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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NDD60N360U1-1G Atributos do produto
Número de peza :
NDD60N360U1-1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
790pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I-PAK
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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