Vishay Siliconix - SIHS36N50D-E3

KEY Part #: K6398744

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Número de peza:
SIHS36N50D-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHS36N50D-E3 Atributos do produto

Número de peza : SIHS36N50D-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 36A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3233pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 446W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : SUPER-247™ (TO-274AA)
Paquete / Estuche : TO-247-3

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