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- Número de peza:
- FQPF9N08L
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF9N08L electronic components. FQPF9N08L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF9N08L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF9N08L Atributos do produto
Número de peza :
FQPF9N08L
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
280pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
23W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220F
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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