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- Número de peza:
- IRFL024NTR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFL024NTR electronic components. IRFL024NTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL024NTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFL024NTR Atributos do produto
Número de peza :
IRFL024NTR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
400pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-223
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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