IPW65R037C6FKSA1 Prezos (USD) [5229unidades de stock]
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- 10 pcs$6.09356
- 100 pcs$5.17959
- Número de peza:
- IPW65R037C6FKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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IPW65R037C6FKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPW65R037C6FKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Serie :
CoolMOS™ C6
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
83.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3.3mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7240pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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