BSC0501NSIATMA1 Prezos (USD) [154630unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSC0501NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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BSC0501NSIATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC0501NSIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
29A (Ta), 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2200pF @ 15V
Función FET :
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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