APTSM120AM09CD3AG Prezos (USD) [150unidades de stock]
- 1 pcs$307.75101
- 100 pcs$306.21991
- Número de peza:
- APTSM120AM09CD3AG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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APTSM120AM09CD3AG Atributos do produto
Número de peza :
APTSM120AM09CD3AG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 9mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1224nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
23000pF @ 1000V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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