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- Número de peza:
- SPB35N10 G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SPB35N10 G Atributos do produto
Número de peza :
SPB35N10 G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 83µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1570pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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