STMicroelectronics - STB100NF03L-03-1

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STB100NF03L-03-1 Prezos (USD) [22265unidades de stock]

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Número de peza:
STB100NF03L-03-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB100NF03L-03-1 Atributos do produto

Número de peza : STB100NF03L-03-1
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Serie : STripFET™ III
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 88nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 6200pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : I2PAK
Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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