Vishay Semiconductor Diodes Division - UH6PJ-M3/86A

KEY Part #: K6443914

[2628unidades de stock]


    Número de peza:
    UH6PJ-M3/86A
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    UH6PJ-M3/86A Atributos do produto

    Número de peza : UH6PJ-M3/86A
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
    Serie : eSMP®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
    Actual - Media rectificada (Io) : 6A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 3V @ 6A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 45ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
    Capacitancia @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : TO-277, 3-PowerDFN
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-277A (SMPC)
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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