Toshiba Semiconductor and Storage - TK4R3A06PL,S4X

KEY Part #: K6398879

TK4R3A06PL,S4X Prezos (USD) [47232unidades de stock]

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Número de peza:
TK4R3A06PL,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK4R3A06PL,S4X Atributos do produto

Número de peza : TK4R3A06PL,S4X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSIX-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 68A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 48.2nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3280pF @ 30V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 36W (Tc)
Temperatura de operación : 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220SIS
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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