Infineon Technologies - IRF7201PBF

KEY Part #: K6411554

IRF7201PBF Prezos (USD) [13751unidades de stock]

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Número de peza:
IRF7201PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Unión programable and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7201PBF Atributos do produto

Número de peza : IRF7201PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 550pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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