IRF3808STRRPBF Prezos (USD) [55027unidades de stock]
- 1 pcs$0.71056
- 800 pcs$0.65450
- Número de peza:
- IRF3808STRRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF3808STRRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF3808STRRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
106A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5310pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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