Número de peza :
FDPF8D5N10C
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
FET ENGR DEV-NOT REL
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
76A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 130µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
34nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2475pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
2.4W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220F
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack