Infineon Technologies - FF650R17IE4DPB2BOSA1

KEY Part #: K6533407

FF650R17IE4DPB2BOSA1 Prezos (USD) [151unidades de stock]

  • 1 pcs$304.26154

Número de peza:
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF650R17IE4DPB2BOSA1 Atributos do produto

Número de peza : FF650R17IE4DPB2BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : 2 Independent
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 650A
Potencia: máx : -
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 650A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 54nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

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