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- Número de peza:
- H7N1002LSTL-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V LDPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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H7N1002LSTL-E Atributos do produto
Número de peza :
H7N1002LSTL-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
75A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9700pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-LDPAK
Paquete / Estuche :
SC-83
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