UPA2812T1L-E2-AT Prezos (USD) [2191unidades de stock]
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- Número de peza:
- UPA2812T1L-E2-AT
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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UPA2812T1L-E2-AT Atributos do produto
Número de peza :
UPA2812T1L-E2-AT
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3740pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HWSON (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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