Taiwan Semiconductor Corporation - S8KC M6G

KEY Part #: K6457848

S8KC M6G Prezos (USD) [718289unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05149

Número de peza:
S8KC M6G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S8KC M6G electronic components. S8KC M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S8KC M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S8KC M6G Atributos do produto

Número de peza : S8KC M6G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 800V
Actual - Media rectificada (Io) : 8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 985mV @ 8A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

Tamén pode estar interesado
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns