IHW40N135R3FKSA1 Prezos (USD) [14431unidades de stock]
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- Número de peza:
- IHW40N135R3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 1350V 80A 429W TO247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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IHW40N135R3FKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IHW40N135R3FKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
Serie :
-
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo IGBT :
Trench
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1350V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
80A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
120A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 40A
Potencia: máx :
429W
Enerxía de conmutación :
2.5mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
365nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
-/343ns
Condición da proba :
600V, 40A, 7.5 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
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