IRFHM8337TRPBF Prezos (USD) [335200unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFHM8337TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFHM8337TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFHM8337TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
755pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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