NCP5106BDR2G Prezos (USD) [211003unidades de stock]
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- 5,000 pcs$0.18516
- 12,500 pcs$0.17820
- Número de peza:
- NCP5106BDR2G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC. Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Reloxo / cronometraxe - Buffers do reloxo, control, PMIC - Controladores de pantalla, Interface - Expansores de E / S, Lineal - Comparadores, Lóxica: xeradores e verificadores de paridade, Adquisición de datos - ADCs / DACs - Finalidade es, PMIC - Interruptores de distribución de enerxía, c and Reloxo / Temporalización: temporizadores e oscilad ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NCP5106BDR2G electronic components. NCP5106BDR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NCP5106BDR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NCP5106BDR2G Atributos do produto
Número de peza :
NCP5106BDR2G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración conducida :
Half-Bridge
Tipo de canle :
Independent
Número de condutores :
2
Tipo de porta :
IGBT, N-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
10V ~ 20V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
0.8V, 2.3V
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
250mA, 500mA
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
600V
Tempo de subida / caída (típico) :
85ns, 35ns
Temperatura de operación :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
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