VS-20ETS12S-M3 Prezos (USD) [41564unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.42037
- 5,000 pcs$0.41518
- Número de peza:
- VS-20ETS12S-M3
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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VS-20ETS12S-M3 Atributos do produto
Número de peza :
VS-20ETS12S-M3
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
20A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 20A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263 (D2Pak)
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 150°C
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Pezas quentes
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
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- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
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- RS2K-13
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- BAS21TA
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- MBRS1100T3H
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- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
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