IRFS7530PBF Prezos (USD) [2534unidades de stock]
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- 1,000 pcs$1.00451
- Número de peza:
- IRFS7530PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 60V 195A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFS7530PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFS7530PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
195A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
411nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
13703pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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