STMicroelectronics - STB24NM65N

KEY Part #: K6415576

STB24NM65N Prezos (USD) [12362unidades de stock]

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Número de peza:
STB24NM65N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB24NM65N Atributos do produto

Número de peza : STB24NM65N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
Serie : MDmesh™ II
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 19A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2500pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 160W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D2PAK
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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