STMicroelectronics - STB28NM50N

KEY Part #: K6396625

STB28NM50N Prezos (USD) [27110unidades de stock]

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Número de peza:
STB28NM50N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB28NM50N Atributos do produto

Número de peza : STB28NM50N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Serie : MDmesh™ II
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 158 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1735pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D2PAK
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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