Microsemi Corporation - APT68GA60B2D40

KEY Part #: K6422189

APT68GA60B2D40 Prezos (USD) [8822unidades de stock]

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  • 47 pcs$4.67151

Número de peza:
APT68GA60B2D40
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
IGBT 600V 121A 520W TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT68GA60B2D40 Atributos do produto

Número de peza : APT68GA60B2D40
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : IGBT 600V 121A 520W TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : PT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 121A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 202A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 40A
Potencia: máx : 520W
Enerxía de conmutación : 715µJ (on), 607µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga de porta : 198nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C : 21ns/133ns
Condición da proba : 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores : -

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