Toshiba Semiconductor and Storage - RN2107MFV,L3F

KEY Part #: K6527811

RN2107MFV,L3F Prezos (USD) [2707unidades de stock]

  • 8,000 pcs$0.01146

Número de peza:
RN2107MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
TRANS PREBIAS NPN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - JFETs and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F electronic components. RN2107MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2107MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2107MFV,L3F Atributos do produto

Número de peza : RN2107MFV,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : TRANS PREBIAS NPN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : PNP - Pre-Biased
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) : 47 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 500nA
Frecuencia - Transición : -
Potencia: máx : 150mW
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOT-723
Paquete de dispositivos de provedores : VESM

Tamén pode estar interesado