RS3E135BNGZETB Prezos (USD) [248329unidades de stock]
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- Número de peza:
- RS3E135BNGZETB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RS3E135BNGZETB electronic components. RS3E135BNGZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3E135BNGZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS3E135BNGZETB Atributos do produto
Número de peza :
RS3E135BNGZETB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.3nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
680pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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