IXFT16N120P Prezos (USD) [7020unidades de stock]
- 1 pcs$6.78440
- 30 pcs$6.75064
- Número de peza:
- IXFT16N120P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1200V 16A TO268.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFT16N120P Atributos do produto
Número de peza :
IXFT16N120P
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6900pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
660W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-268
Paquete / Estuche :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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