DMN61D8LVT-7 Prezos (USD) [460537unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN61D8LVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN61D8LVT-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN61D8LVT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.74nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
12.9pF @ 12V
Potencia: máx :
820mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
TSOT-26
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