MBR8H100MFST1G Prezos (USD) [386323unidades de stock]
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- Número de peza:
- MBR8H100MFST1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 A, 100 V SCHOTTKY DIO
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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MBR8H100MFST1G Atributos do produto
Número de peza :
MBR8H100MFST1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
2µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivos de provedores :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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