ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6TLA1-TR

KEY Part #: K938176

IS46R16160D-6TLA1-TR Prezos (USD) [19456unidades de stock]

  • 1 pcs$2.81769
  • 1,500 pcs$2.80368

Número de peza:
IS46R16160D-6TLA1-TR
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM Automotive 256M,2.5V DDR1,64Mx8,166MHz
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Contador de enerxía, Adquisición de datos: controladores de pantalla tá, Reloxo / Temporalización: xeradores de reloxo, PLL, Lóxica: Funcións universais de autobús, Incrustado: PLDs (Dispositivo lóxico programable), Conversores de PMIC - RMS a DC, Lóxica - Lóxica especializada and PMIC - Reguladores de tensión - Controladores de c ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1-TR electronic components. IS46R16160D-6TLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160D-6TLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-6TLA1-TR Atributos do produto

Número de peza : IS46R16160D-6TLA1-TR
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR
Tamaño da memoria : 256Mb (16M x 16)
Frecuencia do reloxo : 166MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 700ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 66-TSOP II

Tamén pode estar interesado
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)