Infineon Technologies - BUZ31

KEY Part #: K6409914

[117unidades de stock]


    Número de peza:
    BUZ31
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies BUZ31 electronic components. BUZ31 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ31, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUZ31 Atributos do produto

    Número de peza : BUZ31
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
    Serie : SIPMOS®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 14.5A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 9A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1120pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 95W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-3
    Paquete / Estuche : TO-220-3

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