IRFSL3306PBF Prezos (USD) [35157unidades de stock]
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- 10 pcs$1.07410
- 100 pcs$0.86304
- 500 pcs$0.67124
- 1,000 pcs$0.55617
- Número de peza:
- IRFSL3306PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFSL3306PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFSL3306PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4520pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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