RN1103MFV,L3F Prezos (USD) [4559unidades de stock]
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- 16,000 pcs$0.00997
- 24,000 pcs$0.00897
- 56,000 pcs$0.00797
- 200,000 pcs$0.00664
- Número de peza:
- RN1103MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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RN1103MFV,L3F Atributos do produto
Número de peza :
RN1103MFV,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de transistor :
NPN - Pre-Biased
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
50V
Resistor - Base (R1) :
22 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) :
22 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce :
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
500nA
Frecuencia - Transición :
-
Potencia: máx :
150mW
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-723
Paquete de dispositivos de provedores :
VESM
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