FGA60N65SMD Prezos (USD) [20198unidades de stock]
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- 10 pcs$1.76192
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- 500 pcs$1.22902
- 1,000 pcs$0.98337
- Número de peza:
- FGA60N65SMD
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- IGBT 650V 120A 600W TO3P.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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FGA60N65SMD Atributos do produto
Número de peza :
FGA60N65SMD
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
120A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
180A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 60A
Potencia: máx :
600W
Enerxía de conmutación :
1.54mJ (on), 450µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
189nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
18ns/104ns
Condición da proba :
400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
47ns
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P
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