Número de peza :
MURTA20020
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
Configuración do diodo :
1 Pair Common Cathode
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
100A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 100A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
25µA @ 200V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Three Tower
Paquete de dispositivos de provedores :
Three Tower