Vishay Semiconductor Diodes Division - S2M-E3/5BT

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Número de peza:
S2M-E3/5BT
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2M-E3/5BT Atributos do produto

Número de peza : S2M-E3/5BT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1000V
Actual - Media rectificada (Io) : 1.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.15V @ 1.5A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 2µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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