ON Semiconductor - FDS4465_SN00187

KEY Part #: K6401240

[3119unidades de stock]


    Número de peza:
    FDS4465_SN00187
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS4465_SN00187 Atributos do produto

    Número de peza : FDS4465_SN00187
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
    Serie : PowerTrench®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 13.5A
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 120nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : ±8V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 8237pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1.2W
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
    Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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