[3044unidades de stock]
- Número de peza:
- CPMF-1200-S080B
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed CPMF-1200-S080B electronic components. CPMF-1200-S080B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CPMF-1200-S080B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CPMF-1200-S080B Atributos do produto
Número de peza :
CPMF-1200-S080B
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Serie :
Z-FET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tj)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
90.8nC @ 20V
Vgs (máximo) :
+25V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1915pF @ 800V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
313mW (Tj)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
Paquete / Estuche :
Die
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