Toshiba Semiconductor and Storage - RN1109CT(TPL3)

KEY Part #: K6527856

[2692unidades de stock]


    Número de peza:
    RN1109CT(TPL3)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1109CT(TPL3) electronic components. RN1109CT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1109CT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1109CT(TPL3) Atributos do produto

    Número de peza : RN1109CT(TPL3)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de transistor : NPN - Pre-Biased
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 50mA
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 20V
    Resistor - Base (R1) : 47 kOhms
    Resistor - Base do emisor (R2) : 22 kOhms
    Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 100 @ 10mA, 5V
    Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
    Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 500nA
    Frecuencia - Transición : -
    Potencia: máx : 50mW
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : SC-101, SOT-883
    Paquete de dispositivos de provedores : CST3