CDBGBSC101200-G Prezos (USD) [13393unidades de stock]
- 1 pcs$3.07719
- Número de peza:
- CDBGBSC101200-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descrición detallada:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY, 10A 1200V
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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CDBGBSC101200-G Atributos do produto
Número de peza :
CDBGBSC101200-G
Fabricante :
Comchip Technology
Descrición :
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
18A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 5A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
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