IXFN110N85X Prezos (USD) [2005unidades de stock]
- 1 pcs$23.76729
- 10 pcs$22.22682
- 100 pcs$19.27166
- Número de peza:
- IXFN110N85X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFN110N85X Atributos do produto
Número de peza :
IXFN110N85X
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
850V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
110A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
425nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
17000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1170W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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