Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. IS43DR86400D-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400D-3DBI-TR

KEY Part #: K936674

IS43DR86400D-3DBI-TR Prezos (USD) [14733unidades de stock]

  • 1 pcs$3.46793
  • 2,000 pcs$3.45068
Número de peza:
IS43DR86400D-3DBI-TR
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Memoria, Incrustado: FPGAs (Array Gate Gate Programable), PMIC - Iluminación, controladores de lastre, PMIC - Contador de enerxía, Lóxica: Buffers, Drivers, Receivers, Transceivers, Interfaz: Sensor, tacto capacitivo, Adquisición de datos: potenciómetros dixitais and Memoria - Baterías ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBI-TR electronic components. IS43DR86400D-3DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400D-3DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400D-3DBI-TR Atributos do produto

Número de peza : IS43DR86400D-3DBI-TR
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 512Mb (64M x 8)
Frecuencia do reloxo : 333MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 450ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-TWBGA (8x10.5)

Últimas novas

Silicom MinnowBoard Turbot
Tamén pode estar interesado
  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR25H10CDF

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • AT28HC256E-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR

  • AT28HC256E-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS IND TEMP

Pezas quentes