Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. MT47H32M16NF-25E AIT:H

Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AIT:H

KEY Part #: K938189

MT47H32M16NF-25E AIT:H Prezos (USD) [19486unidades de stock]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,368 pcs$2.35152
Número de peza:
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Incrustado: Módulos de Microcontrolador, Microproc, Interface - Terminadores de sinal, Adquisición de datos - Front End analóxico (AFE), Fichas IC, Lóxica: tradutores, niveis de niveis, Memoria - Baterías, PMIC - Controladores láser and Interfaz: especializado ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT:H electronic components. MT47H32M16NF-25E AIT:H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M16NF-25E AIT:H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AIT:H Atributos do produto

Número de peza : MT47H32M16NF-25E AIT:H
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 512Mb (32M x 16)
Frecuencia do reloxo : 400MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 400ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 84-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 84-FBGA (8x12.5)

Últimas novas

Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron LPDRAM
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND-Based MCP
Micron NAND Flash
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Tamén pode estar interesado
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Pezas quentes