SIHG23N60E-GE3 Prezos (USD) [18087unidades de stock]
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- 10 pcs$2.03383
- 100 pcs$1.66756
- 500 pcs$1.35031
- 1,000 pcs$1.08042
- Número de peza:
- SIHG23N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SIHG23N60E-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHG23N60E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Serie :
E
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
23A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
158 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2418pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
227W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AC
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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